本書主要內容包括固體物理基礎和半導體器件物理兩大部分,同時也涵蓋半導體晶體結構與材料生長技術、集成電路原理與制造工藝以及光電子器件與高頻大功率器件等相關內容。
Ben G.Streetman是美國國家工程院院士和美國藝術與科學院院士，IEEE會士和美國電化學學會（ECS）會士。現任美國得克薩斯大學奧斯汀分校工學院院長和該鷴電機工程與計算機工程講座教授，也是該校微電子研究中心的創始人和第一任主任（1984年-1996年）。
1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS
1.1 Semiconductor Materials
1.2 Crystal Lattices
1.2.1 Periodic Structures
1.2.2 Cubic Lattices
1.2.3 Planes and Directions
1.2.4 The Diamond Lattice
1.3 BulkCrystalGrowth
1.3.1 Starting Materials
1.3.2 Growth of Single-Crystal Ingots
1.3.3 Wafers
1.3.4 Doping
1.4 Epitaxial Growth
1.4.1 Lattice-Matching in Epitaxial Growth
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