場發(fā)射冷陰極在顯示技術(shù)、微波能源及高頻電子等方面具有十分重要的應(yīng)用�！都{米半導體場發(fā)射冷陰極理論與實驗》基于作者多年來在納米半導體場發(fā)射冷陰極方面的工作積累，對該領(lǐng)域的發(fā)展歷程、理論基礎(chǔ)、設(shè)計模型與制備性能進行了系統(tǒng)的介紹與討論，期望為新型納米半導體場發(fā)射冷陰極研發(fā)與器件應(yīng)用提供指導與參考。
《納米半導體場發(fā)射冷陰極理論與實驗》主要包括以下內(nèi)容：半導體場發(fā)射理論模型及其在納米體系下的場發(fā)射理論模型的適用性問題；半導體量子結(jié)構(gòu)增強場發(fā)射基本原理與思想；從實驗與理論兩方面系統(tǒng)探討了不同的量子結(jié)構(gòu)（晶軸取向、膜厚膜層、組分搭配、摻雜濃度及表面處理等）半導體薄膜的場電子發(fā)射特性、場發(fā)射耦合增強物理機制及其能譜特性。最后，對納米半導體場發(fā)射冷陰極器件的發(fā)展與應(yīng)用進行了展望。
《納米半導體場發(fā)射冷陰極理論與實驗》主要面向半導體材料、凝聚態(tài)物理與真空電子學方向的高年級本科生與研究生，也可供真空電子學、半導體納米材料、凝聚態(tài)理論、量子物理等領(lǐng)域的研究者參考。
第1章 納米半導體場發(fā)射冷陰極概述
1．1 場發(fā)射顯示器發(fā)展歷程及相關(guān)技術(shù)
1．2 場電子發(fā)射基本原理
1．3 半導體場發(fā)射冷陰極發(fā)展概述
1．3．1 微尖錐陣列結(jié)構(gòu)
1．3．2 一維納米陣列結(jié)構(gòu)
1．3．3 半導體薄膜及發(fā)展
1．4 納米場發(fā)射材料
1．4．1 納米氮化物半導體場發(fā)射材料
1．4．2 納米氧化鋅場發(fā)射材料
1．4．3 納米碳管場發(fā)射材料
1．4．4 納米金剛石薄膜場發(fā)射材料
1．4．5 石墨烯場發(fā)射材料
1．4．6 其他場發(fā)射材料
1．5 納米場發(fā)射冷陰極器件應(yīng)用
1．5．1 場發(fā)射共振隧穿二極管
1．5．2 場發(fā)射顯示器
1．5．3 場發(fā)射掃描電鏡
1．5．4 場發(fā)射壓力傳感器
1．5．5 場發(fā)射微波器件
1．5．6 場發(fā)射光電探測器件
參考文獻
第2章 納米場發(fā)射理論
2．1 經(jīng)典F-N理論
2．1．1 金屬場發(fā)射
2．1．2 半導體場發(fā)射
2．2 納米場發(fā)射理論發(fā)展
2．3 納米寬帶隙半導體場發(fā)射理論
2．3．1 寬帶隙半導體能帶彎曲模型建立
2．3．2 強場下半導體能帶彎曲規(guī)律
2．3．3 寬帶隙半導體場發(fā)射能帶彎曲機制
2．4 納米晶半導體場發(fā)射理論
2．4．1 納米半導體場發(fā)射理論模型建立
2．4．2 半導體薄膜場發(fā)射納米增強效應(yīng)研究
2．5 納米半導體場發(fā)射厚度效應(yīng)機制
2．5．1 引言
2．5．2 納米半導體場發(fā)射厚度效應(yīng)經(jīng)典模型
2．5．3 納米半導體場發(fā)射厚度效應(yīng)的微觀機制分析
2．5．4 總結(jié)
參考文獻
第3章 單層納米薄膜半導體場發(fā)射冷陰極
3．1 單層場發(fā)射納米薄膜制備及表征方法
3．1．1 實驗襯底處理
3．1．2 場發(fā)射薄膜制備方法
3．1．3 納米薄膜的表征方法
3．2 GaN納米薄膜場發(fā)射基底效應(yīng)
3．2．1 GaN納米薄膜的制備
3．2．2 GaN納米薄膜微結(jié)構(gòu)及成分表征
3．2．3 不同襯底GaN納米薄膜場發(fā)射性能研究
3．3 納米薄膜場發(fā)射厚度效應(yīng)
3．3．1 ZnO納米薄膜場發(fā)射厚度效應(yīng)
3．3．2 SiC基GaN納米取向薄膜場發(fā)射厚度效應(yīng)
3．3．3 Si基GaN納米取向薄膜場發(fā)射厚度效應(yīng)
3．3．4 非晶GaN納米薄膜場發(fā)射厚度效應(yīng)
3．4 摻雜對場發(fā)射性能的影響
3．4．1 摻雜對GaN電子結(jié)構(gòu)的影響
3．4．2 Si摻雜對A1GaN薄膜場發(fā)射性能的影響
3．4．3 Si摻雜對GaN薄膜場發(fā)射性能的影響
3．4．4 摻雜對ZnO薄膜場發(fā)射性能的影響
3．5 晶體微結(jié)構(gòu)調(diào)控薄膜場發(fā)射性能
3．5．1 BN薄膜相結(jié)構(gòu)調(diào)控及其對場發(fā)射性能的影響
3．5．2 AlN薄膜取向控制及其對場發(fā)射性能的影響
3．5．3 GaN納米薄膜晶體微結(jié)構(gòu)調(diào)控對場發(fā)射性能的影響
3．5．4 GaN納米薄膜場發(fā)射的結(jié)構(gòu)調(diào)控效應(yīng)
3．5．5 A1GaN混合取向納米薄膜制備及其結(jié)構(gòu)增強場發(fā)射機理
3．6 表面修飾調(diào)控薄膜場發(fā)射性能
3．6．1 GaN納米取向薄膜的表面處理及對其場發(fā)射性能的影響
3．6．2 表面處理對AIGaN薄膜場發(fā)射性能的影響
參考文獻
第4章 多層納米薄膜半導體場發(fā)射結(jié)構(gòu)增強研究
4．1 引言
4．2 多層納米半導體場發(fā)射結(jié)構(gòu)增強模型
4．2．1 量子自洽計算模型
4．2．2 場發(fā)射量子結(jié)構(gòu)中能級及其電子積累
4．2．3 多層超薄膜場發(fā)射的結(jié)構(gòu)增強效應(yīng)
4．3 多層納米半導體場發(fā)射薄膜制備及結(jié)構(gòu)調(diào)控效應(yīng)
4．3．1 AlAs／GaAs量子結(jié)構(gòu)對其場發(fā)射性能影響
4．3．2 AlN／GalN量子結(jié)構(gòu)對其場發(fā)射性能影響
4．3．3 多層量子場發(fā)射陰極的量子結(jié)構(gòu)增強
4．3．4 量子薄膜勢壘-勢阱相對高度對其場發(fā)射性能影響
4．3．5 量子與幾何結(jié)構(gòu)耦合增強場發(fā)射性能研究
參考文獻
第5章 一維半導體場發(fā)射冷陰極
5．1 引言
5．2 場發(fā)射納米線制備及其結(jié)構(gòu)表征
5．2．1 等離子體化學氣相系統(tǒng)簡介
5．2．2 基于GaN粉末的場發(fā)射納米線制備
5．2．3 GaN納米線制備工藝及表征
5．3 納米線結(jié)構(gòu)調(diào)控對其場發(fā)射的影響
5．3．1 GaN納米線場發(fā)射性能測試
5．3．2 GaN納米線成分、表面功函數(shù)及其對場發(fā)射性能的影響
5．3．3 熱效應(yīng)對GaN納米線場發(fā)射的影響
5．4 Ga2O3還原法制備GaN納米線及其場發(fā)射特性
5．4．1 Ga203還原制備GaN納米線PECVD系統(tǒng)
5．4．2 基于Ga203粉末的場發(fā)射納米線制備
5．4．3 GaN納米線制備工藝及表征
5．4．4 GaN納米線工藝參數(shù)調(diào)控
5．4．5 GaN納米線薄膜場發(fā)射性能研究
參考文獻
第6章 納米半導體場發(fā)射能譜及其量子結(jié)構(gòu)共振隧穿機制
6．1 引言
6．2 單層納米半導體場發(fā)射能譜多峰模型
6．2．1 考慮能帶彎曲及復(fù)雜鏡像勢的量子隧穿模型
6．2．2 半導體薄膜FEED的多峰特性
6．3 半導體量子結(jié)構(gòu)共振隧穿場發(fā)射及其場發(fā)射能譜
6．3．1 AlInGaN量子結(jié)構(gòu)模型及其極化特性
6．3．2 半導體量子結(jié)構(gòu)薄膜共振隧穿場發(fā)射普適機制
6．3．3 量子結(jié)構(gòu)中勢阱調(diào)控對場發(fā)射特性的影響
6．3．4 量子結(jié)構(gòu)形狀對場發(fā)射特性的影響
參考文獻
第7章 結(jié)論與展望
7．1 納米半導體場發(fā)射理論研究
7．1．1 寬帶半導體場發(fā)射能帶彎曲理論
7．1．2 半導體納米晶場發(fā)射增強機制
7．1．3 半導體納米薄膜場發(fā)射厚度效應(yīng)
7．1．4 半導體量子結(jié)構(gòu)場發(fā)射增強機制
7．1．5 半導體場發(fā)射能量分布多峰機制
7．1．6 多層納米半導體薄膜量子隧穿場發(fā)射機制
7．2 納米半導體場發(fā)射實驗研究
7．2．1 納米半導體薄膜場發(fā)射的厚度效應(yīng)
7．2．2 納米半導體場發(fā)射薄膜的晶體微結(jié)構(gòu)調(diào)制增強
7．2．3 納米半導體量子結(jié)構(gòu)增強場發(fā)射
7．2．4 量子結(jié)構(gòu)耦合幾何結(jié)構(gòu)納米半導體薄膜場發(fā)射
7．2．5 納米半導體場發(fā)射薄膜的摻雜、表面修飾、基底與成分調(diào)制改性研究
7．2．6 氮化物納米線的場發(fā)射性能研究
7．3 研究展望
7．3．1 場發(fā)射理論
7．3．2 場發(fā)射材料制備
7．3．3 新型場發(fā)射冷陰極器件
參考文獻
彩圖
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