本書以簡潔明了的結構向讀者展現了半導體制造工藝中使用的設備基礎和構造。全書涵蓋了半導體制造設備的現狀以及展望，同時對清洗和干燥設備、離子注入設備、熱處理設備、光刻設備、蝕刻設備、成膜設備、平坦化設備、監測和分析設備、后段制程設備等逐章進行解說。雖然包含了很多生澀的詞匯，但難能可貴的是全書提供了豐富的圖片和表格，幫助讀者進行理解。相信本書一定能帶領讀者進入一個半導體制造設備的立體世界。
本書適合從事半導體與芯片加工、設計的從業者，以及準備涉足上述領域的上班族和學生閱讀參考。
此版本僅限在中國大陸地區（不包括香港、澳門特別行政區及臺灣地區）銷售。
前言
半導體制造設備行業的現狀/
1.1總覽半導體制造設備/
半導體制造設備的地位/
本書的脈絡/
制造設備和制造工藝流程的關系/
1.2半導體制造設備的市場規模/
半導體行業的市場規模/
電子行業的市場規模/
硅晶圓的市場規模/
1.3半導體設備制造商和范式轉移/
半導體黎明期的制造設備/
半導體制造設備制造商的變遷/
范式轉移/
代工廠·無晶圓廠的登場/
1.4日本半導體設備制造商的現狀/
半導體行業的結構/
日本國內半導體制造商的現狀/
日本制造商的停滯/
1.5晶圓廠的現狀/
多樣的產品和半導體晶圓廠/
巨型晶圓廠/
1.6晶圓廠的多樣化/
晶圓廠的生產效能/
巨型晶圓廠以外的方案/
迷你晶圓廠的方案/
研究開發/
設備制造商未來的挑戰/
1.7硅晶圓450mm化的現狀/
硅晶圓的尺寸/
450mm化的趨勢/
全球450mm化的動向/
半導體制造設備的難題/
理解晶圓廠中的半導體制造設備/
2.1前段制程和后段制程/
半導體工藝流程的分類/
前端和后端/
2.2硅晶圓的用途/
硅晶圓和半導體制造設備/
2.3晶圓搬運和制造設備/
什么是晶圓搬運？/
晶圓和設備/
2.4晶圓廠和制造設備/
什么是晶圓廠？/
從晶圓的搬運角度了解晶圓廠/
2.5無塵室和制造設備/
什么是無塵室？/
制造設備的無塵化/
2.6微環境/
什么是微環境？/
什么是FOUP？/
2.7制造設備所需的性能/
制造設備需要滿足的性能和功能/
2.8賦予半導體設備以生命力的設施/
設施/
晶圓廠需要的設施/
2.9制造設備的產能和晶圓廠的運營/
什么是制造設備的產能？/
制造設備的稼動率/
2.10制造設備和生產管理/
什么是生產管理？/
AEC/APC/
設備的標準化/
清洗和干燥設備/
3.1什么是清洗和干燥設備？/
清洗設備的要素/
清洗和干燥設備的要素/
3.2清洗設備的分類/
一般的清洗設備分類/
根據方法論的清洗設備的分類/
3.3批量式清洗設備/
什么是批量式清洗設備？/
多槽式和單槽式/
3.4單片式清洗設備/
什么是單片式清洗設備？/
單片式干燥設備/
3.5新型清洗設備/
高頻蒸汽清洗設備/
紫外線（UV）/臭氧清洗設備/
超低溫氣溶膠清洗設備/
晶圓廠中各式各樣的清洗設備/
3.6清洗后必備的干燥設備/
都有哪些干燥設備？/
旋轉干燥法/
IPA干燥法/
3.7開發中的新型干燥設備/
馬蘭戈尼設備的要素/
Rotagoni干燥設備的要素/
離子注入設備/
4.1什么是離子注入設備？/
什么是離子注入？/
離子注入設備的構成要素/
4.2離子源/
含有離子源物質的氣體/
弗里曼型離子源/
伯納斯(Bernus)型離子源/
4.3晶圓和離子注入設備/
離子注入設備中的晶圓掃描/
晶圓掃描設備的課題/
4.4制造CMOS的離子注入設備/
各種擴散層形成的CMOS/
不同加速能量和束電流的離子注入設備/
其他離子注入技術/
4.5離子注入的替代技術/
等離子摻雜設備/
激光摻雜設備/
熱處理設備/
5.1什么是熱處理設備？/
什么是晶體恢復熱處理設備？/
熱處理設備的要素/
5.2歷史悠久的批量式熱處理設備/
關于熱處理設備/
熱處理設備的石英爐/
5.3單片式RTA設備/
什么是RTA設備？/
溫度測量/
RTA設備的燈具/
5.4最新的激光退火設備/
什么是激光退火？/
激光退火設備和RTA設備的區別/
5.5準分子激光源/
什么是準分子激光器？/
通往設備的激光路徑/
什么是固體激光器？/
光刻設備/
6.1多樣的光刻設備/
什么是光刻工藝和光刻設備？/
光刻工藝流程和設備/
6.2決定精細化的曝光設備/
曝光設備的不同曝光方式/
縮影式曝光設備的繪制方法/
曝光設備的構成要素/
曝光設備的光學系統/
6.3推進精細化進程的曝光光源的發展/
光源的歷史/
未來的光源/
6.4曝光所需的抗蝕劑涂布設備/
抗蝕劑和涂布機的關系/
現實中的旋涂設備/
抗蝕劑涂布設備的要素/
6.5曝光后所需的顯影設備/
什么是顯影工藝？/
現實中的顯影設備/
關于顯影工藝的液體堆積/
6.6光刻設備的集成/
什么是內聯化？/
三次元的趨勢/
6.7灰化設備/
什么是灰化？/
灰化工藝和設備/
內置灰化設備/
6.8液浸式曝光設備/
什么是液浸式曝光設備？/
液浸曝光技術的原理和課題/
6.9雙重圖案所需的設備/
什么是雙重圖案？/
需要什么設備？/
未來的課題/
6.10進一步追求精細化的EUV設備/
什么是EUV曝光技術？/
反射光學系統和掩膜/
EUV曝光設備的課題/
6.11掩膜形成技術和設備/
掩膜（瞄準鏡）和它的進展/
關于EB直繪設備/
蝕刻設備/
7.1什么是蝕刻工藝和設備？/
什么是蝕刻工藝？/
7.2蝕刻設備的構成要素/
蝕刻設備的組成/
干法蝕刻設備的工藝室/
7.3高頻電源的施加方法與蝕刻設備/
產生等離子體的條件/
什么是等離子體電位？/
陰極耦合的優點/
按工藝分類的蝕刻設備/
7.4蝕刻設備的歷史/
干法蝕刻的登場/
干法蝕刻設備的演變/
7.5集群工具化的干法蝕刻設備/
什么是集群工具？/
各種集群工具/
7.6其他干法蝕刻設備/
適應高精度化趨勢的蝕刻設備/
成膜設備/
8.1什么是成膜設備？/
什么是半導體工藝的成膜？/
成膜設備的構成要素/
成膜的參數和方法/
8.2基礎中的基礎：熱氧化設備/
硅氧化工藝和設備/
硅氧化設備的構成要素/
8.3歷史悠久的常壓CVD設備/
什么是常壓CVD工藝？/
常壓CVD設備的構成要素/
常壓CVD設備的示例/
8.4前端的減壓CVD設備/
什么是減壓CVD工藝？/
減壓CVD設備的構成要素/
8.5金屬成膜的減壓CVD設備/
什么是金屬成膜工藝？/
包封鎢成膜設備/
8.6低溫化的等離子體CVD設備/
什么是等離子體工藝？/
等離子體CVD設備的構成要素/
8.7金屬膜所需的濺射設備/
濺射法的原理/
什么是靶材？/
濺射法的優點和缺點/
8.8鑲嵌結構和電鍍設備/
什么是電鍍工藝？/
電鍍設備的構成要素/
8.9lowk（低介電常數）成膜所需的涂布設備/
為什么需要涂布工藝？/
涂布工藝的課題/
涂布設備的構成要素/
8.10highk柵極堆棧中ALD設備的應用/
ALD工藝和highk柵極堆棧/
ALD設備的構成要素/
8.11特殊用途的SiGe外延生長設備/
什么是外延生長工藝？/
外延生長設備的構成要素/
應變硅和SiGe的外延成長/
平坦化設備/
9.1平坦化設備的特征/
平坦化工藝和設備/
平坦化設備的構成要素/
9.2各種平坦化設備的登場/
皮帶式的平坦化設備/
牽引式的平坦化設備/
9.3平坦化設備和后清洗功能/
什么是平坦化后清洗？/
后清洗模塊的構成要素/
9.4什么是平坦化研磨頭？/
什么是保持器？/
什么是背膜？/
什么是修整器？/
9.5平坦化設備的研磨液和研磨墊/
研磨液的供給/
研磨墊/
9.6端點監測機制/
什么是端點監測？/
實際中的端點監測方法/
監測和分析設備/
10.1工藝結束后發揮作用的測量設備/
測量內容/
半導體工程和測定內容/
性能要求/
10.2前段制程的監測站/
外觀監測設備的概要/
共焦顯微鏡的概要/
10.3發現顆粒的表面監測設備/
顆粒是大敵/
顆粒監測的原理/
表面監測設備的實際情況/
10.4帶圖案晶圓的缺陷監測設備/
什么是帶圖案晶圓的缺陷監測設備？/
帶圖案晶圓的監測原理/
帶圖案晶圓的監測設備的概要/
10.5用于觀察晶圓的SEM/
什么是SEM？/
SEM的概要/
10.6監測精細化尺寸的測長SEM/
什么是測長SEM？/
測長SEM的原理/
10.7光刻必需的重疊監測設備/
什么是重疊精度？/
重疊監測的原理/
10.8膜厚測量設備和其他測量設備/
膜厚測量的原理/
顯微鏡的趨勢/
其他測量設備/
10.9觀察斷面的TEM/FIB/
什么是TEM？/
什么是FIB？/
FIB的應用/
10.10通過監測和分析設備的整合提高成品率/
缺陷分析的基礎知識/
利用FMB進行比較/
后段制程設備/
11.1后段制程的工藝流程和主要設備/
什么是后段制程？/
后段制程的晶圓廠和設備/
11.2測量電氣特性的探測設備/
探測設備的作用/
什么是探測設備？/
什么是探針卡？/
11.3晶圓減薄的背磨設備/
什么是背磨？/
背磨設備的概要/
11.4切割芯片的切片機/
實際的切片/
切片機的概要/
11.5貼合芯片的貼片機/
什么是貼片？/
貼片的方法/
貼片機的概要/
11.6用于引線框接合的打線設備/
打線的原理/
打線設備的概要/
11.7封裝芯片的塑封設備/
塑封工藝的流程/
塑封設備的概要/
11.8毛刺清除和包裝設備/
什么是印字設備？/
包裝設備/
11.9最終監測設備和老化設備/
后段制程的最終監測工程/
什么是老化？/
什么是老化設備？
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