氧化鋅（ZnO）是一種寬禁帶半導體材料，具有高效、無毒性、價格低廉等優點。目前，ZnO半導體樣品在光催化降解和完全礦化環境中污染物領域受到了人們的高度關注。本書第1章闡述了鋅系光催化劑發展現狀；第2章主要闡述光催化反應中電子轉移過程；第3章著重闡述鋅系光催化劑制備方法；第4章講述鋅系光催化劑的改性方法；第5章講述鋅系光催化劑的應用。
李慧泉 男，漢族，1973年9月生，江西萍鄉人，中共黨員，博士（博士后），教授。從2001年至今一直從事半導體光催化治理環境污染物、光解水制氫及制氧等方面的研究工作。
第1章緒論
第2章光催化反應原理
2.1光化學基本原理
2.2半導體光催化反應理論
第3章鋅系光催化劑制備方法
3.1氧化鋅的制備方法
3.2負載氧化鋅的制備方法
3.3摻雜氧化鋅的合成方法
第4章鋅系光催化劑的改性方法
4.1金屬摻雜改性
4.2金屬離子摻雜改性
4.3半導體的復合改性
4.4載體負載改性
第5章鋅系光催化劑的應用
5.1氧化鋅光催化劑的應用
5.2碳基氧化鋅復合材料光催化劑應用
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