《全國高等職業教育規劃教材：半導體器件物理》綜合了半導體物理和晶體管原理兩部分的內容，第1至3章介紹了半導體特性、PN結、半導體的表面特性，第4 至第5章系統闡述了雙極型晶體管及其特性、MOS型場效應晶體管的結構和工作原理，第6章簡要介紹了其他幾種半導體器件。全書根據高等職業教育的特點來編寫，在內容上側重于物理概念與物理過程的描述，并注意與生產實踐相結合，適當配置了工藝和版圖方面的知識，同時在前5章編寫了實驗，方便選用。《全國高等職業教育規劃教材：半導體器件物理》可作為高職高專微電子技術及相關專業的教材，也可供半導體行業工程技術人員參考。
《全國高等職業教育規劃教材：半導體器件物理》根據高等職業教育的特點來編寫，在內容敘述上力求重點突出、條理分明、深入淺出、圖文并茂，簡化和刪除了數學推導，側重于物理概念與物理過程的描述。同時在前5章編寫了實驗，方便選用。 本書首先介紹了必要的半導體材料和半導體物理方面的基礎知識，然后依次闡述了PN結、半導體的表面特性、雙極型晶體管及其特性、MOS型場效應晶體管和一些常用的其他半導體器件的基本原理及其物理特性。這些內容的學習將為后續課程（如“半導體制造工藝”、“集成電路版圖設計”等課程）奠定必要的基礎。
出版說明前言第1章 半導體特性1.1 半導體的晶體結構1.1.1 晶體的結構1.1.2 晶向與晶面1.2 半導體中的電子狀態1.2.1 能級與能帶1.2.2 本征半導體的導電機制1.3 雜質與缺陷1.3.1 雜質與雜質能級1.3.2 缺陷與缺陷能級1.4 熱平衡載流子1.4.1 費米能級與載流子濃度1.4.2 本征半導體的載流子濃度1.4.3 雜質半導體的載流子濃度1.5 非平衡載流子1.5.1 非平衡載流子的注入1.5.2 非平衡載流子的復合1.5.3 復合機制1.6 載流子的運動1.6.1 載流子的漂移運動與遷移率1.6.2 載流子的擴散運動與愛因斯坦關系實驗一 晶體缺陷的觀測實驗二 少數載流子壽命的測量思考與習題第2章 PN結2.1 平衡PN結2.1.1 PN結的形成與雜質分布2.1.2 PN結的能帶圖2.1.3 PN結的接觸電勢差與載流子分布2.2 PN結的直流特性2.2.1 PN結的正向特性2.2.2 PN結的反向特性2.2.3 影響PN結伏安特性的因素2.3 PN結電容2.3.1 PN結電容的成因及影響2.3.2 突變結的勢壘電容2.3.3 擴散電容2.4 PN結的擊穿特性2.4.1 擊穿機理2.4.2 雪崩擊穿電壓2.4.3 影響雪崩擊穿電壓的因素2.5 PN結的開關特性2.5.1 PN結的開關作用2.5.2 PN結的反向恢復時間實驗三 PN結伏安特性與溫度特性的測量實驗四 PN結勢壘電容的測量思考與習題第3章 半導體的表面特性3.1 半導體表面與Si-SiO2系統3.1.1 理想的半導體表面3.1.2 Si-SiO2系統及其特性3.1.3 半導體制造工藝中對表面的處理——清洗與鈍化3.2 表面空間電荷區與表面勢3.2.1 表面空間電荷區3.2.2 表面勢φS3.3 MOS結構的閾值電壓3.3.1 理想MOS結構的閾值電壓3.3.2 實際MOS結構的閾值電壓3.3.3 MOS結構的應用——電荷耦合器件3.4 MOS結構的C-U特性3.4.1 MOS電容3.4.2 理想MOS電容的C-U特性3.4.3 實際MOS電容的C-U特性3.4.4 MOS電容在集成電路中的應用3.5 金屬與半導體接觸3.5.1 金屬-半導體接觸3.5.2 肖特基勢壘與整流接觸3.5.3 歐姆接觸3.5.4 金屬-半導體接觸的應用——肖特基勢壘二極管實驗五 MOS電容的測量實驗六 肖特基勢壘二極管伏安特性的測量思考與習題第4章 雙極型晶體管及其特性4.1 晶體管結構與工作原理4.1.1 晶體管的基本結構與雜質分布4.1.2 晶體管的電流傳輸4.1.3 晶體管的直流電流放大系數4.2 晶體管的直流特性4.2.1 晶體管的伏安特性曲線4.2.2 晶體管的反向電流4.2.3 晶體管的擊穿電壓4.2.4 晶體管的穿通電壓4.3 晶體管的頻率特性4.3.1 晶體管的頻率特性和高頻等效電路4.3.2 高頻時晶體管電流放大系數下降的原因4.3.3 晶體管的電流放大系數4.3.4 晶體管的極限頻率參數4.4 晶體管的功率特性4.4.1 大電流工作時產生的3個效應4.4.2 晶體管的最大耗散功率和熱阻4.4.3 功率晶體管的安全工作區4.5 晶體管的開關特性4.5.1 晶體管的開關作用4.5.2 開關晶體管的工作狀態4.5.3 晶體管的開關過程4.5.4 提高晶體管開關速度的途徑4.6 晶體管的版圖與工藝流程4.6.1 晶體管的圖形結構4.6.2 雙極型晶體管的工藝流程實驗七 用圖示儀測試晶體管的特性曲線實驗八 晶體管直流參數的測量思考與習題第5章 MOS型場效應晶體管5.1 MOS型晶體管的結構與分類5.1.1 MOS型晶體管的結構與工作原理5.1.2 MOS型晶體管的分類5.1.3 MOS型晶體管的基本特征5.1.4 集成MOS型晶體管與分立器件MOS型晶體管的異同5.2 MOS型晶體管的閾值電壓5.2.1 MOS型晶體管閾值電壓的定義5.2.2 理想情況下MOS型晶體管閾值電壓的表達式5.2.3 影響MOS型晶體管閾值電壓的各種因素5.3 MOS型晶體管的輸出伏安特性與直流參數5.3.1 MOS型晶體管的輸出伏安特性5.3.2 MOS型晶體管的輸出伏安特性方程5.3.3 影響MOS型晶體管輸出伏安特性的一些因素5.3.4 MOS型晶體管的直流參數5.3.5 MOS型晶體管的溫度特性與柵保護5.4 MOS型晶體管頻率特性與交流小信號參數5.4.1 MOS型晶體管的交流小信號等效電路5.4.2 MOS型晶體管的交流小信號參數5.4.3 MOS型晶體管的最高工作頻率fm5.4.4 MOS型晶體管開關5.5 MOS型晶體管版圖及其結構特征5.5.1 小尺寸集成MOS型晶體管的版圖（橫向結構）5.5.2 小尺寸集成MOS型晶體管的剖面（縱向結構）5.5.3 按比例縮小的設計規則5.6 小尺寸集成MOS型晶體管的幾個效應5.6.1 短溝道效應5.6.2 窄溝道效應5.6.3 熱電子效應實驗九 MOS型晶體管閾值電壓UT的測量實驗十 MOS型晶體管輸出伏安特性曲線的測量思考與習題第6章 其他常用半導體器件6.1 達林頓晶體管6.2 功率MOS型晶體管6.2.1 功率MOS型晶體管的種類6.2.2 功率MOS型晶體管的版圖結構與制造工藝6.3 絕緣柵雙極晶體管6.3.1 IGBT的結構與伏安特性6.3.2 IGBT的工作原理6.4 發光二極管6.4.1 LED的發光原理6.4.2 LED的結構與種類6.4.3 LED的量子效率6.5 太陽電池6.5.1 PN結的光生伏特效應6.5.2 太陽電池的I-U特性與效率6.5.3 非晶硅太陽電池思考與習題附錄 XJ4810型半導體管特性圖示儀面板的功能參考文獻
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