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本書介紹了MEMS（微機電系統(tǒng)）向NEMS（納機電系統(tǒng)）的演變、NEMS的相關(guān)理論和技術(shù)以及相關(guān)的前沿研究。書中內(nèi)容主要討論了NEMS的機電特性、尺度效應(yīng)帶給NEMS的有趣性能以及目前的制造工藝，為該領(lǐng)域目前和未來的研究提供了清晰的敘述。

譯者序
原書前言
物理常數(shù)
物理量
第1章從MEMS到NEMS 1
1.1微納機電系統(tǒng)：概述1
1.2小結(jié)7
第2章納米尺度上的轉(zhuǎn)導(dǎo)與噪聲的概念9
2.1機械傳遞函數(shù)9
2.2轉(zhuǎn)導(dǎo)原理14
2.2.1納米結(jié)構(gòu)的驅(qū)動15
2.2.2檢測21
2.3自激振蕩與噪聲34
2.4小結(jié)39
第3章NEMS與其讀出電路的
單片集成41
3.1簡介41
3.1.1為什么要將NEMS與其讀出電路進行集成41
3.1.2 MEMS-CMOS與NEMS-CMOS之間的區(qū)別42
3.2單片集成的優(yōu)勢與主要途徑43
3.2.1集成方案及其電氣性能的比較43
3.2.2閉環(huán)NEMS-CMOS振蕩器：構(gòu)建基于NEMS的頻率傳感器的必不可少的組成模塊46
3.2.3從制造技術(shù)的角度概述主要成就47
3.3從轉(zhuǎn)導(dǎo)的角度對一些顯著成就的分析51
3.3.1電容式NEMS-CMOS的案例51
3.3.2壓阻式NEMS-CMOS的案例55
3.3.3替代途徑58
3.4小結(jié)與未來展望59
第4章NEMS與尺度效應(yīng)60
4.1簡介60
4.1.1固有損耗64
4.1.2外部損耗65
4.2納米結(jié)構(gòu)中的近場效應(yīng)：卡西米爾力69
4.2.1卡西米爾力的直觀解釋69
4.2.2問題70
4.2.3兩個硅板之間卡西米爾力的嚴格計算72
4.2.4納米加速度計內(nèi)卡西米爾力的影響76
4.2.5本節(jié)小結(jié)79
4.3固有尺度效應(yīng)的示例：電傳導(dǎo)定律80
4.3.1電阻率80
4.3.2壓阻效應(yīng)85
4.4光機納米振蕩器和量子光機93
4.5小結(jié)101
第5章結(jié)論與應(yīng)用前景：從基礎(chǔ)物理到應(yīng)用物理102
附錄114
附錄A針對納米線的自下而上和自上而下制造工藝114
A.1自下而上制造114
A.2自上而下制造116
附錄B卡西米爾力詳述117
參考文獻119