《集成電路制程設計與工藝仿真》介紹當代集成電路設計的系統級前端、布局布線后端及工藝實現三大環節所構成的整體技術的發展，重點著眼于集成電路工藝過程的計算機仿真和計算機輔助設計，以及具體的工具軟件和系統的使用。全書共12章，主要內容包括：常規集成平面工藝、集成工藝原理概要、超大規模集成工藝、一維工藝仿真綜述、工藝仿真交互設置、工藝仿真模型設置、工藝仿真模擬精度、一維工藝仿真實例、集成工藝二維仿真、二維工藝仿真實現、現代可制造性設計、可制造性設計理念，并提供電子課件和習題解答。
《集成電路制程設計與工藝仿真》可作為高等學校電子科學與技術、微電子、集成電路設計等專業的教材，也可供集成電路芯片制造領域的工程技術人員學習參考。
緒論
0-1 半導體及半導體工業的起源
0-2 半導體工業的發展規律
0-3 半導體技術向微電子技術的發展
0-4 當代微電子技術的發展特征
本章小結
習題
第1章 半導體材料及制備
1.1 半導體材料及半導體材料的特性
1.1.1 半導體材料的特征與屬性
1.1.2 ？導體材料硅的結構特征
1.2 半導體材料的冶煉及單晶制備
1.3 半導體硅材料的提純技術
1.3.1 精餾提純sicl4技術及其提純裝置
1.3.2 精餾提純sicl4的基本原理
1.4 半導體單晶材料的制備
1.5 半導體單晶制備過程中的晶體缺陷
本章小結
習題
第2章 集成工藝及原理
2.1 常規集成電路制造技術基礎
2.1.1 常規雙極性晶體管的工藝結構
2.1.2 常規雙極性晶體管平面？藝流程
2.1.3 常規pn結隔離集成電路平面工藝流程
2.2 外延生長技術
2.3 常規硅氣相外延生長過程的動力學原理
2.4 氧化介質制備技術
2.5 半導體高溫摻雜技術
2.6 常規高溫熱擴散的數學描述
2.6.1 恒定表面源擴散問題的數學分析
2.6.2 有限表面源擴散問題的數學分析
2.7 雜質熱擴散及熱遷移工藝模型
2.8 離子注入低溫摻雜技術
本章小結
習題
第3章 超大規模集成工藝
3.1 當代微電子技術的技術進步
3.2 當代超深亞微米級層次的技術特征
3.3 超深亞微米層次下的小尺寸效應
3.4 典型超深亞微米cmos制造工藝
3.5 超深亞微米cmos工藝技術模塊簡介
本章小結 （5）
習題
第4章 一維工藝仿真綜述
4.1 集成電路工藝仿真技術
4.2 一維工藝仿真系統 suprem-2
4.3 suprem-2的建模
本章小結
習題 （5）
第5章 工藝仿真交互設置
5.1 suprem-2工藝仿真輸入卡的設置規范
5.2 suprem-2工藝模擬卡的卡序設置
5.3 suprem-2仿真系統的卡語句設置
5.4 輸出/輸入類卡語句的設置
5.5 工藝步驟類卡語句的設置
5.6 工藝模型類卡語句的設置
本章小結
習題
第6章 工藝模擬系統模型設置
6.1 系統模型的類型及參數分類
6.1.1 元素模型
6.1.2 氧化模型
6.1.3 外延模？
6.1.4 特殊用途模型
6.2 suprem-2工藝模擬系統所設置的默認參數值
本章小結
習題
第7章 工藝模擬精度的調試
第8章 一維工藝仿真實例
第9章 集成電路工藝二維仿真
第10章 二維工藝仿真實例
第11章 可制造性設計工具
第12章 可制造性設計理念
參考文獻
新書資訊