《模擬電路版圖的藝術(shù)（第2版）》以實(shí)用和權(quán)威性的觀點(diǎn)全面論述了模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)中所涉及的各種問(wèn)題及目前的最新研究成果。《模擬電路版圖的藝術(shù)（第2版）》中介紹了半導(dǎo)體器件物理與工藝、失效機(jī)理等內(nèi)容；基于模擬集成電路設(shè)計(jì)所采用的3種基本工藝：標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝、CMOS硅柵工藝和BiCMOS工藝，重點(diǎn)探討了無(wú)源器件的設(shè)計(jì)與匹配性問(wèn)題，二極管設(shè)計(jì)，雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的設(shè)計(jì)與應(yīng)用，以及某些專門領(lǐng)域的內(nèi)容，包括器件合并、保護(hù)環(huán)、焊盤制作、單層連接、ESD結(jié)構(gòu)等；最后介紹了有關(guān)芯片版圖的布局布線知識(shí)。
《模擬電路版圖的藝術(shù)（第2版）》可作為相關(guān)專業(yè)高年級(jí)本科生和研究生教材，對(duì)于專業(yè)版圖設(shè)計(jì)人員也是一本極具價(jià)值的參考書。
第1章 器件物理
1.1 半導(dǎo)體
1.2 PN結(jié)
1.3 雙極型晶體管
1.4 MOS晶體管
1.5 JFET晶體管
1.6 小結(jié)
1.7 習(xí)題
第2章 半導(dǎo)體制造
2.1 硅制造
2.2 光刻技術(shù)
2.3 氧化物生長(zhǎng)和去除
2.4 擴(kuò)散和離子注入
2.5 硅淀積和刻蝕
2.6 金屬化
2.7 組裝
2.8 小結(jié)
2.9 習(xí)題
第3章 典型工藝
3.1 標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝
3.2 多晶硅柵CMOS工藝
3.3 模擬BiCMOS
3.4 小結(jié)
3.5 習(xí)題
第4章 失效機(jī)制
4.1 電過(guò)應(yīng)力
4.2 玷污
4.3 表面效應(yīng)
4.4 寄生效應(yīng)
4.5 小結(jié)
4.6 習(xí)題
第5章 電阻
5.1 電阻率和方塊電阻（薄層電阻）
5.2 電阻版圖
5.3 電阻變化
5.4 電阻的寄生效應(yīng)
5.5 不同電阻類型的比較
5.6 調(diào)整電阻阻值
5.7 小結(jié)
5.8 習(xí)題
第6章 電容和電感
6.1 電容
6.2 電感
6.3 小結(jié)
6.4 習(xí)題
第7章 電阻和電容的匹配
7.1 失配的測(cè)量
7.2 失配的原因
7.3 器件匹配規(guī)則
7.4 小結(jié)
7.5 習(xí)題
第8章 雙極型晶體管
8.1 雙極型晶體管的工作原理
8.2 標(biāo)準(zhǔn)雙極型小信號(hào)晶體管
8.3 CMOS和BiCMOS工藝小信號(hào)雙極型晶體管
8.4 小結(jié)
8.5 習(xí)題
第9章 雙極型晶體管的應(yīng)用
9.1 功率雙極型晶體管
9.2 雙極型晶體管匹配
9.3 雙極型晶體管匹配設(shè)計(jì)規(guī)則
9.4 小結(jié)
9.5 習(xí)題
第10章 二極管
10.1 標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝二極管
10.2 CMOS和BiCMOS工藝二極管
10.3 匹配二極管
10.4 小結(jié)
10.5 習(xí)題
第11章 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
11.1 MOS晶體管的工作原理
11.2 構(gòu)造CMOS晶體管
11.3 浮柵晶體管
11.4 JFET晶體管
11.5 小結(jié)
11.6 習(xí)題
第12章 MOS晶體管的應(yīng)用
12.1 擴(kuò)展電壓晶體管
12.2 功率MOS晶體管
12.3 MOS晶體管的匹配
12.4 MOS晶體管的匹配規(guī)則
12.5 小結(jié)
12.6 習(xí)題
第13章 一些專題
13.1 合并器件
13.2 保護(hù)環(huán)
13.3 單層互連
13.4 構(gòu)建焊盤環(huán)
13.5 ESD結(jié)構(gòu)
13.6 習(xí)題
第14章 組裝管芯
14.1 規(guī)劃管芯
14.2 布局
14.3 頂層互連
14.4 小結(jié)
14.5 習(xí)題
附錄A 縮寫詞匯表
附錄 B 立方晶體的米勒指數(shù)
附錄C 版圖規(guī)則實(shí)例
附錄D 數(shù)學(xué)推導(dǎo)
附錄E 版圖編輯軟件的出處
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