本書是國外學者們對寬禁帶半導體封裝技術和趨勢的及時總結。首先，對寬禁帶功率器件的發展趨勢做了總結和預演判斷，講述寬禁帶功率半導體的基本原理和特性，包括其獨特的物理和化學屬性，以及它們在極端環境下的潛在優勢。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術和襯底展開論述，同時，介紹了磁性材料，并對不同材料結構的熱性能，以及冷卻技術和散熱器設計進行了介紹。然后，考慮到功率器件的質量必須通過各種測試和可靠性驗證方法來評估，還介紹了瞬態熱測試的原理和方法，同時闡述了各種可靠性測試的機理和選擇動機。最后
本書對半導體存儲器技術進行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結構到頂層的陣列設計，且重點介紹了近些年的工藝節點縮小趨勢和最前沿的技術。本書第1部分討論了主流的半導體存儲器技術，第2部分討論了多種新型的存儲器技術，這些技術都有潛力能夠改變現有的存儲層級，同時也介紹了存儲器技術在機器學習或深度學習中的新型應用。
本書首次利用半導體超晶格作為真隨機數發生器的混沌熵源，針對超晶格作為混沌熵源時所涉及的器件設計、混沌信號分析、隨機數提取等問題進行研究，從理論上對超晶格混沌產生自激振蕩的機理進行了研究，從實踐上實現了基于超晶格混沌熵源的隨機數發生器設計及產生真隨機數的評估。
這是一本介紹半導體工作原理的入門類讀物。全書共分4章，包括第1章的半導體的作用、類型、形狀、制造方式、產業形態；第2章的理解導體、絕緣體和半導體的區別，以及P型半導體和N型半導體的特性；第3章的PN結、雙極型晶體管、MOS晶體管、CMOS等；第4章涵蓋了初學者和行業人士應該知道的技術和行業詞匯表。本書適合想學習半導體的初學者閱讀，也可以作為相關企事業單位人員的科普讀物。
彈性半導體結構的機械變形-電場-熱場-載流子分布等物理場的耦合分析十分復雜�！稄椥园雽w的多場耦合理論與應用》基于連續介質力學、連續介質熱力學及靜電學的基本原理，建立了半導體的連續介質物理模型。以該模型為基礎，采用材料力學及板殼力學的建模方法系統地研究了典型彈性半導體結構中的多場耦合問題，包括一維和二維壓電半導體結構（撓*電半導體結構）在靜態加載、失穩、振動時的變形及載流子分布等。作為該理論模型的應用，研究了壓電半導體材料的變形傳感及機械力對電子電路中電流的調控。
本書不僅介紹了半導體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對每種材料的關鍵刻蝕參數、對應的等離子體源和刻蝕氣體化學物質進行了詳細解釋。本書討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術，介紹了半導體廠商實際使用的刻蝕設備的類型和等離子體產生機理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，并介紹了原子層沉積等新型刻蝕技術。
本書基于當前半導體行業制造過程中存在的問題，介紹了多種改進的批間控制和過程監控算法及其性能。第1章為半導體制造過程概述，包括國內外研究現狀和發展趨勢。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過程監控。第4～7章討論機臺干擾、故障、度量時延對系統性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產品制程的EWMA批間控制算法、變折扣因子EWMA批間控制算法、偏移補償批間控制算法、基于T-S模糊模型的批間控制算法。第8～11章介紹半導體制造過程的性能和過程監控方法，包括：設計模型評價指標進行建模質量評估；提
本書系統介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動力學方法、動力學蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時間從亞皮秒量級到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應用，揭示了典型半導體材料的位移損傷機理和規律，在核技術和輻射物理學科的發展、位移損傷效應研究、人才培養等方面具有重要的學術意義和應用價值。
本書旨在向材料及微電子集成相關專業的高年級本科生、研究生及從事材料與器件集成行業的科研人員介紹柵介質材料制備與相關器件集成的專業技術。本書共10章，包括了集成電路的發展趨勢及后摩爾時代的器件挑戰，柵介質材料的基本概念及物理知識儲備，柵介質材料的基本制備技術及表征方法； 著重介紹了柵介質材料在不同器件中的集成應用，如高κ與金屬柵、場效應晶體管器件、薄膜晶體管器件、存儲器件及神經形態器件等。本書包含柵介質材料的基本制備技術，同時突出了柵介質材料在器件應用中的先進性和前沿性，反映了后摩爾時代器件集成的
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