本書從集成電路器件可靠性問題出發，具體闡述了輻射環境、輻射效應、軟錯誤和仿真工具等背景知識，詳細介紹了抗輻射加固設計（RHBD）技術以及在該技術中常用的相關組件，重點針對表決器、鎖存器、主從觸發器和靜態隨機訪問存儲器（SRAM）單元介紹了經典的和新穎的RHBD技術，扼要描述了相關實驗并給出了容錯性能和開銷對比分析。本書共分為6章，分別為緒論、常用的抗輻射加固設計技術及組件、表決器的抗輻射加固設計技術、鎖存器的抗輻射加固設計技術、主從觸發器的抗輻射加固設計技術以及SRAM單元的抗輻射加固設計技術。通過學習本書內容，讀者可以強化對集成電路器件抗輻射加固設計技術的認知，了解該領域的當前**研究成果和相關技術。
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