本書是一本介紹半導體集成電路和器件制造技術的專業書籍， 在半導體領域享有很高的聲譽。本書的討論范圍包括半導體工藝的每個階段： 從原材料的制備到封裝、 測試和成品運輸， 以及傳統的和現代的工藝。全書提供了詳細的插圖和實例， 每章包含回顧總結和習題， 并輔以豐富的術語表。第六版修訂了微芯片制造領域的新進展， 討論了用于圖形化、 摻雜和薄膜步驟的先進工藝和尖端技術， 使隱含在復雜的現代半導體制造材料與工藝中的物理、 化學和電子的基礎信息更易理解。本書的主要特點是避開了復雜的數學問題介紹工藝技術內容， 并加入了半導體業界的新成果， 可以使讀者了解工藝技術發展的趨勢。
Peter Van Zant 國際知名半導體專家，具有廣闊的工藝工程、培訓、咨詢和寫作方面的背景。他曾先后在IBM和德州儀器（TI）工作，之后在硅谷，又先后在美國國家半導體（National Semiconductor）和單片存儲器（Monolithic Memories）公司任晶圓制造工藝工程和管理職位。他還曾在加利福尼亞州洛杉磯的山麓學院（Foothill College）任講師，講授半導體課程和針對初始工藝工程師的高級課程。
第1章 半導體產業
1.1 引言
1.2 一個產業的誕生
1.3 固態時代
1.4 集成電路
1.5 工藝和產品趨勢
1.6 半導體產業的構成
1.7 生產階段
1.8 微芯片制造過程發展的
60年
1.9 納米時代
習題
參考文獻
2.1 引言
2.2 原子結構
第1章 半導體產業
1.1 引言
1.2 一個產業的誕生
1.3 固態時代
1.4 集成電路
1.5 工藝和產品趨勢
1.6 半導體產業的構成
1.7 生產階段
1.8 微芯片制造過程發展的
60年
1.9 納米時代
習題
參考文獻
第2章 半導體材料和化學品的特性
2.1 引言
2.2 原子結構
2.3 元素周期表
2.4 電傳導
2.5 絕緣體和電容器
2.6 本征半導體
2.7 摻雜半導體
2.8 電子和空穴傳導
2.9 半導體生產材料
2.10 半導體化合物
2.11 鍺化硅
2.12 襯底工程
2.13 鐵電材料
2.14 金剛石半導體
2.15 工藝化學品
2.16 物質的狀態
2.17 物質的性質
2.18 壓力和真空
2.19 酸、 堿和溶劑
2.20 化學純化和清洗
習題
參考文獻
第3章 晶體生長與硅晶圓制備
3.1 引言
3.2 半導體硅制備
3.3 晶體材料
3.4 晶體定向
3.5 晶體生長
3.6 晶體和晶圓質量
3.7 晶圓準備
3.8 切片
3.9 晶圓刻號
3.10 磨片
3.11 化學機械拋光
3.12 背面處理
3.13 雙面拋光
3.14 邊緣倒角和拋光
3.15 晶圓評估
3.16 氧化
3.17 包裝
3.18 工程化晶圓（襯底）
習題
參考文獻
第4章 晶圓制造和封裝概述
4.1 引言
4.2 晶圓生產的目標
4.3 晶圓術語
4.4 芯片術語
4.5 晶圓生產的基礎工藝
4.6 薄膜工藝
4.7 晶圓制造實例
4.8 晶圓中測
4.9 集成電路的封裝
4.10 小結
習題
參考文獻
第5章 污染控制
5.1 引言
5.2 污染源
5.3 凈化間的建設
5.4 凈化間的物質與供給
5.5 凈化間的維護
5.6 晶片表面清洗
習題
參考文獻
第6章 生產能力和工藝良品率
6.1 引言
6.2 良品率測量點
6.3 累積晶圓生產良品率
6.4 晶圓生產良品率的制約因素
6.5 封裝和最終測試良品率
6.6 整體工藝良品率
習題
參考文獻
第7章 氧化
7.1 引言
7.2 二氧化硅層的用途
7.3 熱氧化機制
7.4 氧化工藝
7.5 氧化后評估
習題
參考文獻
第8章 十步圖形化工藝流程——從表面
制備到曝光
8.1 引言
8.2 光刻工藝概述
8.3 光刻十步法工藝過程
8.4 基本的光刻膠化學
8.5 光刻膠性能的要素
8.6 光刻膠的物理屬性
8.7 光刻工藝： 從表面準備到曝光
8.8 表面準備
8.9 涂光刻膠（旋轉式）
8.10 軟烘焙
8.11 對準和曝光
8.12 先進的光刻
習題
參考文獻
第9章 十步圖形化工藝流程——從顯影到最終檢驗
9.1 引言
9.2 硬烘焙
9.3 刻蝕
9.4 濕法刻蝕
9.5 干法刻蝕
9.6 干法刻蝕中光刻膠的影響
9.7 光刻膠的去除
9.8 去膠的新挑戰
9.9 最終目檢
9.10 掩模版的制作
9.11 小結
習題
參考文獻
第10章 下一代光刻技術
10.1 引言
10.2 下一代光刻工藝的挑戰
10.3 其他曝光問題
10.4 其他解決方案及其挑戰
10.5 晶圓表面問題
10.6 防反射涂層
10.7 高級光刻膠工藝
10.8 改進刻蝕工藝
10.9 自對準結構
10.10 刻蝕輪廓控制
習題
參考文獻
第11章 摻雜
11.1 引言
11.2 擴散的概念
11.3 擴散形成的摻雜區和結
11.4 擴散工藝的步驟
11.5 淀積
11.6 推進氧化
11.7 離子注入簡介
11.8 離子注入的概念
11.9 離子注入系統
11.10 離子注入區域的雜質濃度
11.11 離子注入層的評估
11.12 離子注入的應用
11.13 摻雜前景展望
習題
參考文獻
第12章 薄膜淀積
12.1 引言
12.2 化學氣相淀積基礎
12.3 CVD的工藝步驟
12.4 CVD系統分類
12.5 常壓CVD系統
12.6 低壓化學氣相淀積（LPCVD）
12.7 原子層淀積
12.8 氣相外延
12.9 分子束外延
12.10 金屬有機物CVD
12.11 淀積膜
12.12 淀積的半導體膜
12.13 外延硅
12.14 多晶硅和非晶硅淀積
12.15 SOS和SOI
12.16 在硅上生長砷化鎵
12.17 絕緣體和絕緣介質
12.18 導體
習題
參考文獻
第13章 金屬化
13.1 引言
13.2 淀積方法
13.3 單層金屬
13.4 多層金屬設計
13.5 導體材料
13.6 金屬塞
13.7 濺射淀積
13.8 電化學鍍膜
13.9 化學機械工藝
13.10 CVD金屬淀積
13.11 金屬薄膜的用途
13.12 真空系統
習題
參考文獻
第14章 工藝和器件的評估
14.1 引言
14.2 晶圓的電特性測量
14.3 工藝和器件評估
14.4 物理測試方法
14.5 層厚的測量
14.6 柵氧化層完整性電學測量
14.7 結深
14.8 污染物和缺陷檢測
14.9 總體表面特征
14.10 污染認定
14.11 器件電學測量
習題
參考文獻
第15章 晶圓制造中的商業因素
15.1 引言
15.2 晶圓制造的成本
15.3 自動化
15.4 工廠層次的自動化
15.5 設備標準
15.6 統計制程控制
15.7 庫存控制
15.8 質量控制和ISO 9000認證
15.9 生產線組織架構
習題
參考文獻
第16章 形成器件和集成電路的
介紹
16.1 引言
16.2 半導體器件的形成
16.3 可替換MOSFET按比例縮小的挑戰
16.4 集成電路的形成
16.5 Bi MOS
16.6 超導體
習題
參考文獻
第17章 集成電路的介紹
17.1 引言
17.2 電路基礎
17.3 集成電路的類型
17.4 下一代產品
習題
參考文獻
第18章 封裝
18.1 引言
18.2 芯片的特性
18.3 封裝功能和設計
18.4 引線鍵合工藝
18.5 凸點或焊球工藝示例
18.6 封裝設計
18.7 封裝類型和技術小結
習題
參考文獻
術語表
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