目前以有機(jī)/聚合物和半導(dǎo)體量子點(diǎn)為代表的新型電致發(fā)光材料與器件受到了國(guó)內(nèi)外眾多企業(yè)和人士的廣泛關(guān)注。本書從新型電致發(fā)光材料與器件原理，以及關(guān)鍵材料的開發(fā)與應(yīng)用技術(shù)出發(fā)，內(nèi)容涵蓋有機(jī)電致發(fā)光概念與過(guò)程、有機(jī)電致發(fā)光材料、有機(jī)電致發(fā)光器件、半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料、半導(dǎo)體量子點(diǎn)電致發(fā)光器件、 鹵素鈣鈦礦材料及其電致發(fā)光器件等。全書反映了國(guó)內(nèi)外新型電致發(fā)光材料與器件研究及應(yīng)用領(lǐng)域的更新成果，展現(xiàn)了新技術(shù)發(fā)展和研究趨勢(shì)。本書具有較強(qiáng)的理論性、科學(xué)性和系統(tǒng)性，兼具實(shí)用價(jià)值，可供從事照明與顯示技術(shù)、發(fā)光材料
本書基于當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)制造過(guò)程中存在的問(wèn)題，介紹了多種改進(jìn)的批間控制和過(guò)程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導(dǎo)體制造過(guò)程概述，包括國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過(guò)程監(jiān)控。第4～7章討論機(jī)臺(tái)干擾、故障、度量時(shí)延對(duì)系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產(chǎn)品制程的EWMA批間控制算法、變折扣因子EWMA批間控制算法、偏移補(bǔ)償批間控制算法、基于T-S模糊模型的批間控制算法。第8～11章介紹半導(dǎo)體制造過(guò)程的性能和過(guò)程監(jiān)控方法，包括：設(shè)計(jì)模型評(píng)價(jià)指標(biāo)進(jìn)行建模質(zhì)量評(píng)估；提
本書系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動(dòng)力學(xué)方法、動(dòng)力學(xué)蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學(xué)性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時(shí)間從亞皮秒量級(jí)到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應(yīng)用，揭示了典型半導(dǎo)體材料的位移損傷機(jī)理和規(guī)律，在核技術(shù)和輻射物理學(xué)科的發(fā)展、位移損傷效應(yīng)研究、人才培養(yǎng)等方面具有重要的學(xué)術(shù)意義和應(yīng)用價(jià)值。
本書旨在向材料及微電子集成相關(guān)專業(yè)的高年級(jí)本科生、研究生及從事材料與器件集成行業(yè)的科研人員介紹柵介質(zhì)材料制備與相關(guān)器件集成的專業(yè)技術(shù)。本書共10章，包括了集成電路的發(fā)展趨勢(shì)及后摩爾時(shí)代的器件挑戰(zhàn)，柵介質(zhì)材料的基本概念及物理知識(shí)儲(chǔ)備，柵介質(zhì)材料的基本制備技術(shù)及表征方法； 著重介紹了柵介質(zhì)材料在不同器件中的集成應(yīng)用，如高κ與金屬柵、場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件、薄膜晶體管器件、存儲(chǔ)器件及神經(jīng)形態(tài)器件等。本書包含柵介質(zhì)材料的基本制備技術(shù)，同時(shí)突出了柵介質(zhì)材料在器件應(yīng)用中的先進(jìn)性和前沿性，反映了后摩爾時(shí)代器件集成的
本書介紹了當(dāng)前主流的光學(xué)光刻、先進(jìn)的極紫外光刻以及下一代光刻技術(shù)。主要內(nèi)容涵蓋了光刻理論、工藝、材料、設(shè)備、關(guān)鍵部件、分辨率增強(qiáng)、建模與仿真、典型物理與化學(xué)效應(yīng)等，包括光刻技術(shù)的前沿進(jìn)展，還總結(jié)了極紫外光刻的特點(diǎn)、存在問(wèn)題與發(fā)展方向。
本書共6章, 包括緒論、氮化物材料MOCVD生長(zhǎng)技術(shù)、氮化鎵微波功率器件技術(shù)、微波功率器件新型工藝、微波功率器件建模技術(shù)、新型氮化鎵微波功率器件。
全書較為系統(tǒng)地論述了壓接型IGBT器件封裝疲勞失效機(jī)理及其可靠性建模與測(cè)評(píng)等，既有理論原理、仿真分析、又有實(shí)驗(yàn)測(cè)試等。全書內(nèi)容可為高壓大功率壓接器件的可靠性設(shè)計(jì)優(yōu)化和測(cè)試奠定理論基礎(chǔ)；同時(shí)也為實(shí)現(xiàn)柔直裝備安全運(yùn)行的狀態(tài)評(píng)估和主動(dòng)運(yùn)維提供技術(shù)支撐，從而進(jìn)一步支撐以高壓大功率IGBT器件為核心的柔直裝備及電力系統(tǒng)安全。
本書適合作為集成電路、微電子、電子科學(xué)與技術(shù)等專業(yè)高年級(jí)本科生和研究生學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件物理的雙語(yǔ)教學(xué)教材，內(nèi)容涵蓋了量子力學(xué)、固體物理、半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件的全部?jī)?nèi)容。全書在介紹學(xué)習(xí)器件物理所必需的基礎(chǔ)理論之后，重點(diǎn)討論了pn結(jié)、金屬–半導(dǎo)體接觸、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極型晶體管的工作原理和基本特性。最后論述了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、晶閘管、MEMS和半導(dǎo)體光電器件的相關(guān)內(nèi)容。本書提供了豐富的習(xí)題和自測(cè)題，并給出了大量的分析或設(shè)計(jì)實(shí)例，有助于讀者對(duì)基本理論和概念的理解。
本書從材料、工藝、結(jié)構(gòu)、性能、歷史、產(chǎn)業(yè)和前沿研究角度，對(duì)半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管進(jìn)行系統(tǒng)性的介紹。主要包括半導(dǎo)體與新能源，太陽(yáng)能電池概述，晶體硅太陽(yáng)能電池，薄膜硅太陽(yáng)能電池，碲化鎘太陽(yáng)能電池，砷化鎵太陽(yáng)能電池，銅銦硒太陽(yáng)能電池，染料敏化太陽(yáng)能電池，有機(jī)太陽(yáng)能電池，發(fā)光二極管概述，氮化鎵發(fā)光二極管，氧化鋅發(fā)光二極管，中長(zhǎng)波發(fā)光二極管，有機(jī)發(fā)光二極管的工藝、設(shè)計(jì)、和前沿研究。
本書以集成電路領(lǐng)域中的等離子體刻蝕為切入點(diǎn)，介紹了等離子體基礎(chǔ)知識(shí)、基于等離子體的刻蝕技術(shù)、等離子體刻蝕設(shè)備及其在集成電路中的應(yīng)用。全書共8章，內(nèi)容包括集成電路簡(jiǎn)介、等離子體基本原理、集成電路制造中的等離子體刻蝕工藝、集成電路封裝中的等離子體刻蝕工藝、等離子體刻蝕機(jī)、等離子體測(cè)試和表征、等離子體仿真、顆粒控制和量產(chǎn)。本書對(duì)從事等離子體刻蝕基礎(chǔ)研究和集成電路工廠產(chǎn)品刻蝕工藝調(diào)試的人員均有一定的參考價(jià)值。
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